欢迎进入东莞市二方电子科技有限公司官方网站!
TAG标签

首页>>相关内容

BPMS04N003M 40V 110A N沟道功率MOSFET2022-06-08 20:05:53
BPMS04N003M采用了独特优化的超级沟槽技术,可提供高效的高频开关性能,由于Rds(ON)和Qg的极低组合,传导和开关功率损耗都被降到了最低,该器件非常适合高频开关和同步整流以及dcdc转换器,工作温度-55℃-150℃,丝印BPMS04N003M,功率75W,封装是DFN5*6。...
在线客服
Baidu
map