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铨力P沟道功率MOSFET AP2305（参数封装应用）2022-11-05 13:47:15: AP2305型号是铨力半导体一款P沟道功率MOSFET，提供优异的Rds（ON），在25℃下的测试条件下的最大漏源电压VDS为-20V，最大栅源电压VGS为±12V，最大漏极电流ID为-4.1A，最大脉冲漏源电流IDM为-15A，最小漏源击穿电压BVDSS为-20V（VGS=0V，ID=250μA），最大总功耗PD仅为1.7W。...

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