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13N50F场效应管RS13N50F（参数 代换 供应）2023-06-10 17:32:19
RS13N50F是我司代理瑞森半导体的一款高压N沟道场效应晶体管，漏极-源极电压VDSS=500v，连续漏极电流ID =13A，典型导通内阻0.39Ω，切换速度快，100%雪崩测试，TO-220F封装，丝印RS13N50F，50个一管，可代替其他一些厂商的13N50MOS管，欢迎咨询样品，批量采购。...
15N50F场效应管RS15N50F 500V（参数 报价 应用）2023-06-10 16:56:12
RS15N50F是瑞森一款超小内阻，结电容适中，散热性能好，高温漏电小，高温电压跌落小的高压N-沟道场效应晶体管，TO-220F封装，VDS =500V,ID =15A，RDS(ON) <0.42Ω @ VGS = 10V，广泛应用于开关电源，电源适配器、LED驱动等领域，需要报价请联系。...
500V耐压MOS管AP5N50K（参数 丝印 封装）2022-11-06 17:00:31
AP5N50K是铨力半导体生产的一款耐压500V N沟道功率MOS，丝印5N50K，TO-252封装，主要特点是连续漏极电流5A，导通电阻RDS (ON)＜1.5Ω@VGs=10V，TYP:1.25Ω，断开延时时间20ns（VDD=250V, ID=5A, VGs=10V, RG=25Ω），主要用于PWM应用，负荷开关，电源管理等。...
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