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13N50F场效应管RS13N50F（参数代换供应）2023-06-10 17:32:19: RS13N50F是我司代理瑞森半导体的一款高压N沟道场效应晶体管，漏极-源极电压VDSS=500v，连续漏极电流ID =13A，典型导通内阻0.39Ω，切换速度快，100%雪崩测试，TO-220F封装，丝印RS13N50F，50个一管，可代替其他一些厂商的13N50MOS管，欢迎咨询样品，批量采购。...

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