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10N65场效应管RS10N65D（参数特点规格书）2023-06-10 15:04:12: 本MOS型号为RS10N65D（10A,650V)，是瑞森采用先进的平面MOS技术制造的N-沟道场效应晶体管，通过优化芯片结构，使该产品拥有较强的抗冲击能力，超小内阻，结电容适中，散热性能好，高温漏电小，高温电压跌落小，广泛应用于开关电源，电源适配器、LED驱动等领域。...

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