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HI-SEMICON深鸿盛MOS管命名规则解释2023-11-18 09:58:27: MOS管的型号命名规则通常由多个部分构成，如字母前缀，额定电流，产品类型（N沟还是P沟），封装类型，额定电压等，不同的mosfet制造商可能采用不同的命名规则，以下是HI-SEMICON深鸿盛电子MOS管的命名规则解释。下图为HI-SEMICON深鸿盛MOSFET的型号组成介绍...

深鸿盛双P沟道MOS SFR0205PT2（参数价格引脚）2023-02-22 19:18:04: SFR0205PT2是深鸿盛（HI-SEMICON）电子一款双P沟道功率MOS管，属于低压双P mos系列，丝印0205P，DFN2*2-6L封装，主要特性参数Vds=-20V，Id=-5A，导通电阻典型值为37mΩ@VGs=-4.5V，适用于LED照明关联产品，开关电源，电池供电电路的高压侧开关，大型工业设备控制器，网络设备，通讯产品，数码产品，汽车电子，安防监控系统以及其他领域。...

电机驱动n+p沟道mos管SFQ0320T4（参数图片价格）2023-02-19 11:36:25: SFQ0320T4是深鸿盛一款N/P沟道增强型低压功率MOS场效应晶体管，采用业界领先的LVMOS工艺技术制造而成，T0-252-4L封装。具有超低内阻、开关速度快、抗冲击能力强等特点，该mos广泛用于电机驱动、UPS、BMS等领域，N沟道VDS=30V,ID=25A，P沟道VDS=-30V,ID=-24A，最新价格请联系客服。...

高压4n65场效应管SFD4N65【参数代换规格书资料】2023-02-14 20:30:58: SFD4N65是深圳深鸿盛电子一款N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，采用业界领先的VDMOS工艺技术制造而成，具有低导通损耗，耐高压650v，抗冲击能力强等特点，可广泛用于各类AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器等领域，下面是关于该mos管的参数，可代换的型号以及规格书资料。...

深鸿盛n+p沟道mos管SFM0318T4 30V20A2023-02-14 19:57:32: 求购深鸿盛mos管欢迎联系代理商二方电子科技，SFM0318T4是一款N+P沟功率MOS管，N沟道VDS电压30V，ID=20A，P沟道VDS电压-30V，ID=20A，主要用于功率因数校正（PFC），开关模式电源，不间断电源，LED照明电源，丝印SFM0318T4，PDFN5*6-8L封装，功率3.6W。...

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