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耐压40v 150A移动储能N沟mos管SGM041R8T
本产品型号SGM041R8T，厂商深鸿盛电子，该mos具有40伏特的耐压能力和150安培的最大电流承载能力，典型导通内阻1.6mΩ@VGS=10V ID=35A，丝印SGM041R8T，卷装，常用于电源管理、电动车辆、电机驱动和工业自动化等领域的高功率应用。
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本产品型号SGM041R8T，厂商深鸿盛电子，该mos具有40伏特的耐压能力和150安培的最大电流承载能力，典型导通内阻1.6mΩ@VGS=10V ID=35A，丝印SGM041R8T，卷装，常用于电源管理、电动车辆、电机驱动和工业自动化等领域的高功率应用。
40V 150A N沟MOS管SGM041R8T是一种N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有40伏特的耐压能力和150安培的最大电流承载能力，常用于电源管理、电动车辆、电机驱动和工业自动化等领域的高功率应用。在这些应用中，它可以用于开关电源、直流-直流转换器、逆变器和电机驱动器等电路中，以实现高效能和可靠性的电力控制。
40V 150A N沟mos管SGM041R8T极限参数值；
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