650v7a的场效应管RSU7N65D（参数 代换 规格书）

RSU7N65D，简称7N65场效应管，是我司代理瑞森半导体的一款高压N沟道多层外延超结MOS，漏源电压Vds：650V，漏极电流Id Tc=25℃：7A，典型导通内阻为560mΩ，TO252封装，丝印RSU7N65D，广泛用于开关电源、汽车电子、工业控制，高压H桥PWM马达驱动等。

7N65场场效应管RSU7N65D极限参数值；

7N65用什么代换？

如果您正在寻找与7n65具有相似特性的场效应管进行替代，建议您参考同一系列或同一参数范围内的其他型号，一些可能的替代型号可能是在相同系列中的其他型号，如7n60、7n75、7n80等。您可以参考供应商或制造商提供的数据手册，以获取更多关于这些替代型号的详细信息，并确保它们符合您的具体应用需求。

650v7a的场效应管RSU7N65D规格书资料；

7N65mos管RSU7N65D规格书pdf

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