10N65场效应管RS10N65D（参数 特点 规格书）

本MOS型号为RS10N65D，是瑞森采用先进的平面MOS技术制造的N-沟道场效应晶体管，通过优化芯片结构，使该产品拥有较强的抗冲击能力，超小内阻，结电容适中，散热性能好，高温漏电小，高温电压跌落小，广泛应用于开关电源，电源适配器、LED驱动等领域。

瑞森RS10N65D主要特点；

VDS =650V，ID =10A

RDS(ON) <1.05Ω @ VGS = 10V

抗冲击能力强

较低的导通电阻

100%的UIS测试

10N65场效应管RS10N65D极限参数值；

10N65场效应管应用规格书资料下载；

瑞森RS10N65D场效应管完整规格书pdf