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国产高压650v 4A MOS管N沟-SCD65R1K2C
SCD65R1K2C是一款高压低电流mos管，TO-252-2L贴片封装，VDS=650V，ID=4A，生产厂商为深鸿盛电子，采用先进的超结技术制造，具有极低的导通电阻，特别适用于需要高功率密度和卓越效率的应用，典型导通内阻为0.9Ω@VGS=10V，可广泛用于各类开关电源，DC-DC电源转换器、高压H桥PMW马达驱动。
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SCD65R1K2C是一款高压低电流mos管，TO-252-2L贴片封装，VDS=650V，ID=4A，生产厂商为深鸿盛电子，采用先进的超结技术制造，具有极低的导通电阻，特别适用于需要高功率密度和卓越效率的应用，典型导通内阻为0.9Ω@VGS=10V，可广泛用于各类开关电源，DC-DC电源转换器、高压H桥PMW马达驱动。
SCD65R1K2C是一款高压低电流mos管，TO-252-2L贴片封装，VDS=650V，ID=4A，生产厂商为深鸿盛电子，采用先进的超结技术制造，具有极低的导通电阻，特别适用于需要高功率密度和卓越效率的应用，典型导通内阻为0.9Ω@VGS=10V ID=2.0A。可广泛用于各类开关电源，DC-DC电源转换器、高压H桥PMW马达驱动。
高压低电流mos管SCD65R1K2C极限参数值；
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