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铨力双N沟道低压MOS管AP4822QD(参数 引脚 代换)

​AP4822QD是铨力半导体一款双N沟道低压MOS场效应管,增强型,30v20A,丝印4822QD,结温150℃,功率4.8W,封装方式为PDFN3X3-8L,5000个一包装,可直接替换HM4822、AO4822、APM4822、CEM4822等型号,想了解更多关于该MOS的价格,应用,测试电路,规格书等欢迎联系孙经理。

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AP4822QD是铨力半导体一款双N沟道低压MOS场效应管,增强型,30v20A,丝印4822QD,结温150℃,功率4.8W,封装方式为PDFN3X3-8L,5000个一包装,可直接替换(代换)HM4822、AO4822、APM4822、CEM4822等型号,下图为该MOS的基本信息参数。

AP4822QD基本信息参数

AP4822QD的丝印和引脚分配情况;

AP4822QD的丝印和引脚分配情况

附2个N沟道MOS管AP4822QD的绝对最大额定值参数;

AP4822QD的绝对最大额定值参数

想了解更多关于该MOS的价格,应用,测试电路,规格书等欢迎联系孙经理。

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