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低内阻双n沟道mos管AP4946S（实物图 引脚 参数）
AP4946S是铨力半导体一款双N沟道（N+N）MOS管，SO-8封装，漏源电压60V，连续漏极电流5A，导通电阻35mΩ@10V,5A，阈值电压3V@250uA，具有较低的栅极电荷，简单驱动要求，快速开关，符合RoHS标准，如需了解该MOS的实时价格请联系。
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AP4946S是铨力半导体一款双N沟道（N+N）MOS管，SO-8封装，漏源电压60V，连续漏极电流5A，导通电阻35mΩ@10V,5A，阈值电压3V@250uA，具有较低的栅极电荷，简单驱动要求，快速开关，符合RoHS标准，如需了解该MOS的实时价格请联系。
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低内阻双n沟道mos管AP4946S参数；
双N沟道MOS AP4946S电气特性；
