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-100V -50A P沟道MOS管AP50P10D（图片 参数 价格）
AP50P10D是永源微电子一款100v p沟道增强型MOS管，采用先进的沟槽技术和设计，漏源电压-100v，连续漏极电流-50A，导通电阻46mΩ@4.5V,8A，功率104w，工作温度-55℃~+150℃，主要用于电源开关，dc/dc转换器，TO-252封装，丝印AP50P10D，需要询价请联系东莞二方电子科技。
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AP50P10D是永源微电子一款100v p沟道增强型MOS管，采用先进的沟槽技术和设计，漏源电压-100v，连续漏极电流-50A，导通电阻46mΩ@4.5V,8A，功率104w，工作温度-55℃~+150℃，主要用于电源开关，dc/dc转换器，TO-252封装，丝印AP50P10D，需要询价请联系东莞二方电子科技。
AP50P10D是永源微电子一款100v p沟道增强型MOS管，采用先进的沟槽技术和设计，漏源电压-100v，连续漏极电流-50A，导通电阻46mΩ@4.5V,8A，功率104w，工作温度-55℃~+150℃，主要用于电源开关，dc/dc转换器，TO-252封装，丝印AP50P10D，需要询价请联系东莞二方电子科技。
下图为100v P沟道MOS管AP50P10D基本参数信息；
AP50P10D mos管的电气特性参数一览表；
