n+p沟道场效应管AP3003（实物图 参数 规格书）

AP3003（AP3003S6）是一款n和p沟道功率MOSFET，SOT23-6封装，丝印3003，安装类型SMT，Vds=30V，Io=4.2A，采用先进的沟槽技术提供优良的Rds(ON)，低栅电荷，该MOS适用于电池保护或其他开关应用，3000个包装，最大功耗1.2W，漏源击穿电压BVDSS是33V，了解最新价格欢迎联系二方电子科技。

N沟道；

Vds = 30V，ID = 4.2A

Rds（ON）＜24mΩ@VGs=10V

Rds（ON）＜28mΩ@VGs=4.5V

P沟道；

VDs =-30V，ID =-3.7A

RDs（ON）＜65mΩ@VGs=-10V

RDs（ON）＜85mΩ@VGs=-4.5V

n+p沟道场效应管AP3003最大额定值参数；

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