铨力P沟道功率MOSFET AP2305（参数 封装 应用）

AP2305型号是铨力半导体一款P沟道功率MOSFET，提供优异的Rds（ON），在25℃下的测试条件下的最大漏源电压VDS为-20V， 最大栅源电压VGS为±12V，最大漏极电流ID为-4.1A，最大脉冲漏源电流IDM为-15A，最小漏源击穿电压BVDSS为-20V（VGS=0V，ID=250μA），最大总功耗PD仅为1.7W，结到环境的热阻RθJA最大为74℃/W，存储温度范围和工作结温范围都在-55°C~+150°C之间，该mos适合用作负载开关或PWM应用，采用SOT-23封装，3000个一包装，欢迎询价。

AP2305的主要特征；

VDs=-20V，ID=-4.1A

Rds（ON）<75m@Vgs=-2.5V

Rds（ON）<42mΩ@VGs=-4.5V

高功率和电流处理能力

通过无铅和AEC-Q101认证

AP2305电气特性参数；

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