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贴片60V50A增强型n沟道mos管AP68N06G
AP68N06G是深圳铨力半导体一款N沟道增强型MOS管，PDFN5*6封装，丝印68N06G，编带包装，漏源电压(Vdss)60V，连续漏极电流(Id)50A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)14mΩ@10V,25A，栅极电荷(Qg@Vgs)33nC@4.5V，可用于电动车控制器，欢迎咨询该MOSFET管的价格。
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AP68N06G最大额定值参数；
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