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100V耐压MOS管60A APG095N01G（图片 参数 封装）
APG095N01G是铨力半导体一款N沟道增强型MOS管，丝印G095N01G，采用PDFN5*6-8L，包装方式为编带，数量5000个，漏源电压(Vdss)100V，连续漏极电流(Id)60A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)8.2mΩ@10V,20A，欢迎来电咨询价格。
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APG095N01G是铨力半导体一款N沟道增强型MOS管，丝印G095N01G，采用PDFN5*6-8L，包装方式为编带，数量5000个，漏源电压(Vdss)100V，连续漏极电流(Id)60A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)8.2mΩ@10V,20A，欢迎来电咨询价格。
APG095N01G是铨力半导体一款N沟道增强型MOS管，丝印G095N01G，采用PDFN5*6-8L，包装方式为编带，数量5000个，漏源电压(Vdss)100V，连续漏极电流(Id)60A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)8.2mΩ@10V,20A，欢迎来电咨询价格。
N沟道增强型mos管APG095N01G规格参数表；
100V耐压MOS管APG095N01G封装尺寸信息；
