铨力N沟MOS AP2020G(图片 参数 应用)
AP2020G是铨力一款N沟道功率MOS,20V90A,封装为PMPAK5x6,最大功耗87W,主要用于开关模式电源,负荷开关等,以下是该MOS的基本参数,最大额定值参数信息,低Rds(ON)以最小化传导损耗,高雪崩电流,如需了解价格欢迎联系二方电子。
【 微信扫码咨询 】
0769-81816942
13342689247
AP2020G是铨力一款N沟道功率MOS,20V90A,封装为PMPAK5x6,最大功耗87W,主要用于开关模式电源,负荷开关等,以下是该MOS的基本参数,最大额定值参数信息,低Rds(ON)以最小化传导损耗,高雪崩电流,如需了解价格欢迎联系二方电子。
AP2020G是铨力一款N沟道功率MOS,20V90A,封装为PMPAK5x6,最大功耗87W,主要用于开关模式电源,负荷开关等,以下是该MOS的基本参数,最大额定值参数信息,如需了解价格欢迎联系二方电子。
AP2020G型号主要特性;
20V,90A
Rds(ON)=2.9mΩ(Typ.)@VGs =4.5V
Rds(ON)=4.0mΩ(Typ.)@VGs =2.5V
提供无铅和绿色设备(符合RoHS)
低Rds(ON)以最小化传导损耗
高雪崩电流
AP2020G最大额定值参数信息;
相关铨力MOS型号推荐;