N沟道场效应管AP3400 30V5.8A（参数 图片 规格书）

AP3400型号是铨力半导体一款N沟道功率MOSFET，采用贴片SOT-23-3封装，丝印3400，可替代美国万代厂家AO3400，适用于作负载开关或脉宽调制应用，以下是该MOS的主要特点，参数介绍，欢迎询价。

N沟道场效应管AP3400主要特征；

Vds (V) = 30V

Id = 5.8A(VGs = 10V)

Rds(ON) <24mΩ(VGs = 10V)

Rds(ON) <30mΩ(VGs = 4.5V)

Rds(ON) <52mΩ(VGs = 2.5V)

30V5.8A MOS管AP3400极限参数；

规格书资料；

铨力N沟道场效应管AP3400规格书pdf

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