2个N沟道40V20A功率MOS AP4008QD(图片 参数 规格书)
AP4008QD是铨力一款N沟道功率MOSFET,丝印4008QD,封装为PDFN3X3,工作温度+150℃,主要用于直流/直流转换器,便携式设备负载开关,电池开关,主要特点;40V,20A,RDs (ON) <22mΩ@VGs=10V,RDs (ON) <30mΩ@VGs=4.5V欢迎向二方电子咨询价格。
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AP4008QD是铨力一款N沟道功率MOSFET,丝印4008QD,封装为PDFN3X3,工作温度+150℃,主要用于直流/直流转换器,便携式设备负载开关,电池开关,主要特点;40V,20A,RDs (ON) <22mΩ@VGs=10V,RDs (ON) <30mΩ@VGs=4.5V欢迎向二方电子咨询价格。
AP4008QD是铨力一款N沟道功率MOSFET,丝印4008QD,封装为PDFN3X3,工作温度+150℃,主要用于直流/直流转换器,便携式设备负载开关,电池开关,欢迎向二方电子咨询价格。
AP4008QD规格参数一览表;
AP4008QD主要特点;
40V,20A
RDs (ON) <22mΩ@VGs=10V
RDs (ON) <30mΩ@VGs=4.5V
沟槽 DMOS 功率 MOSFET
快速切换
出色的导通电阻和最大直流电流能力
N沟道功率MOS管AP4008QD规格书资料;