N+P沟道mos AP4910GD（参数 应用 价格）

AP4910GD是ALLPOWER(铨力)一款n+p沟道场效应管，丝印4910GD，PDFN5X6封装，N沟道Vdd=40V，Io=30A，P沟道Vdd=-40V，Io=-40A，功耗45W，主要用于PWM应用，负荷开关以及电源管理，如需了解该MOS的价格，参数，规格书资料，欢迎联系二方电子。

AP4910GD主要特征；

N沟道

Vdd=40V，Io=30A

Rds（on）＜16mΩ@VGs=10V   TYP 14mΩ

Rds（on）＜25mΩ@VGs=-4.5V TYP 20mΩ

P沟道

Vdd=-40V，Io=-40A

Rds（on）＜16mΩ@VGs=-10V   TYP 13.5mΩ

Rds（on）＜25mΩ@VGs=-4.5V  TYP 16.5mΩ

AP4910GD MOS绝对最大额定参数；