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高压N沟道快恢复MOS B50T040F（电压 丝印 电流）
B50T040F型号是晶丰明源一款N沟道MOSFET，采用先进技术，可实现最小RDS(ON) 和卓越的开关性能，它还可以在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲，丝印B50T040，采用TO-252封装，VDS 耐压500V，漏极电流4A，VGS=10V最大导通阻抗3.6Ω。适用于高频开关模式电源，电子镇流器，电机驱动器等。
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B50T040F型号是晶丰明源一款N沟道MOSFET，采用先进技术，可实现最小RDS(ON) 和卓越的开关性能，它还可以在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲，丝印B50T040，采用TO-252封装，VDS 耐压500V，漏极电流4A，VGS=10V最大导通阻抗3.6Ω。适用于高频开关模式电源，电子镇流器，电机驱动器等。
B50T040F型号是晶丰明源一款N沟道MOSFET，采用先进技术，可实现最小RDS(ON) 和卓越的开关性能，它还可以在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲，丝印B50T040，采用TO-252封装，VDS 耐压500V，漏极电流4A，VGS=10V最大导通阻抗3.6Ω。
B50T040F主要特征；
低栅极电荷
低 Crss（典型值为 2.1pF）
快速切换
改进的 dv/dt 能力
100% 雪崩测试
快速反向恢复
高压mos管B50T040F主要应用；
高频开关模式电源，电子镇流器，电机驱动器等。
B50T040F绝对最大额定值；
订购信息；
相关型号高压N沟道MOS管；
