7A500V功率MOS管B50T070F(参数 丝印 应用)
B50T070F是晶丰明源一款N沟道功率MOSFET,采用先进的技术和设计,以提供优秀的RDS(ON)与低栅极电荷,TO-252封装,丝印B50T070,漏源电压(VGS=0V)500V,Tc=25°C时的连续漏极电流7.0 A,RDS(ON) 最大值1.3Ω,工作结温和存储温度范围-55 至 150 °C,欢迎咨询价格。
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B50T070F是晶丰明源一款N沟道功率MOSFET,采用先进的技术和设计,以提供优秀的RDS(ON)与低栅极电荷,TO-252封装,丝印B50T070,漏源电压(VGS=0V)500V,Tc=25°C时的连续漏极电流7.0 A,RDS(ON) 最大值1.3Ω,工作结温和存储温度范围-55 至 150 °C,欢迎咨询价格。
B50T070F是晶丰明源一款N沟道功率MOSFET,采用先进的技术和设计,以提供优秀的RDS(ON)与低栅极电荷,TO-252封装,丝印B50T070,漏源电压(VGS=0V)500V,Tc=25°C时的连续漏极电流7.0 A,Tc=100°C 时的连续漏极电流为4.7A,工作结温和存储温度范围-55 至 150 °C。
B50T070F主要特点;
低栅极电荷,更低的驱动要求和开关损耗
低CRS(典型3.2pF)
快速切换
改进的dv/dt能力
100%雪崩测试
快速反向恢复
500V功率MOS管B50T070F主要应用;
高频开关电源
电子镇流器
UPS
电机驱动器
B50T070F电路示意图;
查看该MOS管的更多参数,引脚定义,电气特性,热特性曲线等请点击7A500V功率MOS管B50T070F规格书pdf查看。