欢迎进入东莞市二方电子科技有限公司官方网站!
场效应管

首页>>IC芯片>>场效应管

5mΩ30V电机驱动mos管SRT03N050L

​SRT03N050L是尚阳通一款5.0mΩ,30V,ID=67A,N沟道功率MOSFET,采用先进的分裂栅沟槽技术,具有极低的导通电阻、低栅极电荷和快速开关时间,非常适用于高频开关和同步整流,击穿电压为30V,全称SRT03N050LD33TR-G,丝印03N050LD33G,采用PDFN3.3*3.3 封装。

在线订购
产品详情

SRT03N050L是一款5.0mΩ,30V,N沟道功率MOSFET,采用先进的分裂栅沟槽技术,具有极低的导通电阻、低栅极电荷和快速开关时间,非常适用于高频开关和同步整流,击穿电压为30V,全称SRT03N050LD33TR-G,丝印03N050LD33G,采用PDFN3.3*3.3 封装。

N沟道功率MOSFET SRT03N050L主要特性;

BVDSS=30V,ID=67A

低导通电阻

RDS(ON)_TYP = 4.1mΩ @ VGS = 10V

RDS(ON)_TYP = 6.7mΩ @ VGS = 4.5V

超低栅极电荷,Qg=17.4nC typ

快速切换能力

具有更好的EAS性能

100% UIS测试

SRT03N050L主要应用;

DC/DC转换器,同步整流器,电源开关,电机驱动器,BMS

SRT03N050L绝对最大额定值介绍;

SRT03N050L绝对最大额定值

了解更多该MOSFET的电气参数,典型性能特性,测试电路,尺寸信息请浏览下方规格书。

规格书查看/下载;

5mΩ30V电机驱动mos管SRT03N050L规格书pdf

在线客服
Baidu
map