BPMS04N003M 40V 110A N沟道功率MOSFET

BPMS04N003M采用了独特优化的超级沟槽技术，可提供高效的高频开关性能，由于Rds(ON)和Qg的极低组合，传导和开关功率损耗都被降到了最低，该器件非常适合高频开关和同步整流以及dcdc转换器，工作温度-55℃-150℃，丝印BPMS04N003M，功率75W，封装是DFN5*6。

BPMS04N003M主要特性；

BVDss = 40V，ID = 110A，Rds（ON）MAX=2.8mΩ

Rds(ON) _type =2.4mΩ @ Vgs = 10V

Rds(ON) _type =3.3mΩ @ vg = 4.5V

快速切换功能

具有更好EAS性能的稳健设计

EMI改进设计

100%的用户界面测试

绝对最大额定值；

相关40V MOS管型号；

40V6A互补MOSFET BP0405SCG