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N沟道增强型MOSFET AP30H80Q 30V70A
AP30H80Q是一款N沟道增强型MOSFET，厂商为ALLPOWER铨力，采用先进的沟槽技术，丝印为30H80Q，阈值电压1.5V@250µA，漏源电压30V，连续漏极电流70A，功率46W，安装类型为表面贴装(SMT)，PDFN3x3-8L封装，主要用于PWM应用，负载开关，电源管理等。
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AP30H80Q是一款N沟道增强型MOSFET，厂商为ALLPOWER铨力，采用先进的沟槽技术，丝印为30H80Q，阈值电压1.5V@250µA，漏源电压30V，连续漏极电流70A，功率46W，安装类型为表面贴装(SMT)，PDFN3x3-8L封装，主要用于PWM应用，负载开关，电源管理等。
AP30H80Q是一款N沟道增强型MOSFET，厂商为ALLPOWER铨力，采用先进的沟槽技术，丝印为30H80Q，阈值电压1.5V@250µA，漏源电压30V，连续漏极电流70A，功率46W，安装类型为表面贴装(SMT)，PDFN3x3-8L封装，主要用于PWM应用，负载开关，电源管理等。
AP30H80Q主要性能参数；
30V,70A
Rds (ON) ＜6mΩ@VGs=10V
Rds (ON) ＜12mΩ@VGs=4.5V
优良的RDs (ON)和低栅极电荷
AP30H80Q绝对最大额定值；
了解更多参数，电路，封装信息请点击N沟道增强型MOSFET AP30H80Q数据手册pdf
