AP2300 增强N沟道mosfet(图片 报价 参数)
AP2300是一款增强N沟道功率晶体管,漏源电压20V,连续漏极电流4A,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,带ESD保护,稳定性好,具有很高的EAS均匀性,封装为SOT-23,主要用于接口转换,负荷开关,电源管理等,了解价格,详细参数,最新规格书请联系二方电子。
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AP2300是一款增强N沟道功率晶体管,漏源电压20V,连续漏极电流4A,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,带ESD保护,稳定性好,具有很高的EAS均匀性,封装为SOT-23,主要用于接口转换,负荷开关,电源管理等,了解价格,详细参数,最新规格书请联系二方电子。
AP2300是一款增强N沟道功率晶体管,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,带ESD保护,稳定性好,具有很高的EAS均匀性,封装为SOT-23,主要用于接口转换,负荷开关,电源管理等。
AP2300 MOS主要特点;
20V 4A
RDs (ON) <30mΩ @VGs=4.5V
RDs (ON) <45mΩ @VGs=2.5V
先进的沟槽技术
符合ROHS标准
ap2300mos产品应用;
1.各类锂电池保护模块
2.手机、平板电脑等便携式数码产品电源管理
3.LED TV等消费电子产品电源
4.电动交通工具控制器
5.不间断电源,逆变器和各类电力电源
6.LED照明
绝对最大额定值参数;