NP沟道增强型低压MOS SFS4525T（参数 特点 应用）

SFS4525T型号为N/P沟道增强型低压功率MOS场效应晶体管，采用业界领先的LVMOS工艺技术制造而成，具有超低内阻、开关速度快、抗冲击能力强，出色的导通电阻，等特点，广泛应用于电机驱动、UPS、BMS等领域，封装为PDFN5*6-8L。

SFS4525T主要参数特点；

N沟道；

VDS=40V，ID=8A

RDS(ON)=15.0mΩ(TYP@VGS=10V) RDS(ON)=18.7mΩ(TYP@VGS=4.5V)

P沟道；

VDS=-40V，ID=-7A

RDS(ON)=28.9mΩ(TYP@VGS=-10V) RDS(ON)=38.2mΩ(TYP@VGS=-4.5V)

超低Rdson的高密度电池设计

高ESD能力的特殊工艺技术

出色的导通电阻

增强型低压MOS SFS4525T绝对最大额定值；