电机控制mcu芯片LKS32MC071CBT8(参数 应用 优势)
LKS32MC071CBT8是凌鸥创芯针对电机驱动市场,推出的高性能电机运动控制系列芯片,产品定位为LKS08系列升级,但flash/RAM容量更大,集成仪表级全差分可编程增益放大器+差分ADC,不需要电压偏置就可以处理正负信号,TQFP48封装,已量产,下面是关于该MCU的参数,性能优势等介绍。
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LKS32MC071CBT8是凌鸥创芯针对电机驱动市场,推出的高性能电机运动控制系列芯片,产品定位为LKS08系列升级,但flash/RAM容量更大,集成仪表级全差分可编程增益放大器+差分ADC,不需要电压偏置就可以处理正负信号,TQFP48封装,已量产,下面是关于该MCU的参数,性能优势等介绍。
LKS32MC071CBT8是凌鸥创芯针对电机驱动市场,推出的高性能电机运动控制系列芯片,产品定位为LKS08系列升级,但flash/RAM容量更大,集成仪表级全差分可编程增益放大器+差分ADC,不需要电压偏置就可以处理正负信号,TQFP48封装,已量产,下面是关于该MCU的参数,性能优势等介绍。
LKS32MC071CBT8基本参数;
LKS32MC071CBT8主要特点;
96MHz 32 位 Cortex-M0 内核
集成自主指令集电机控制专用 DSP
超低功耗休眠模式,低功耗休眠电流 10uA
工业级工作温度范围-40~105℃
超强抗静电和群脉冲能力
LKS32MC071CBT8性能优势;
高可靠性、高集成度、最终产品体积小、节约 BOM 成本
内部集成 4 路高速运放和 3 路比较器,可满足单电阻/双电阻/三电阻电流采样拓扑架构的不同需求;
内部高速运放集成高压保护电路,可以允许高电压共模信号直接输入芯片,可以用最简单的电路拓扑实现 MOSFET 电阻直接电流采样模式;
集成硬件 MOSFET 温度漂移补偿电路,确保电流采样精度;
应用专利技术使 ADC 和高速运放达到最佳配合,可处理更宽的电流动态范围,同时兼顾高速小电流和低速大电流的采样精度;
整体控制电路简洁高效,抗干扰能力强,稳定可靠;
单电源 2.2V~5.5V 供电,确保了系统供电的通用性;
支持 IEC/UL60730 功能安全认证
适用于有感 BLDC/无感 BLDC/有感 FOC/无感 FOC 及步进电机、永磁同步、异步电机等控制系统
电气极限参数;
如需了解更多参数,如模拟性能参数,引脚及引脚功能,系统资源框图,封装尺寸请联系二方电子提供pdf完整版资料,样品,价格等。