18W PD快充电源芯片BP8705D 替代SP6648HF
BP8705D芯片是一款高性能、高集成度、低待机功耗的电流模式副边PWM控制芯片,由晶丰明源设计生产,SOP8封装,适用于全电压 85~265V AC输入, 输出30W以内 Flyback 变换器应用,内部集成了650V高压MOSFET,可替代SP6648HF,有需求的朋友欢迎联系。
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BP8705D芯片是一款高性能、高集成度、低待机功耗的电流模式副边PWM控制芯片,由晶丰明源设计生产,SOP8封装,适用于全电压 85~265V AC输入, 输出30W以内 Flyback 变换器应用,内部集成了650V高压MOSFET,可替代SP6648HF,有需求的朋友欢迎联系。
BP8705D芯片是一款高性能、高集成度、低待机功耗的电流模式副边PWM 控制芯片,适用于全电压 85~265V AC输入, 输出30W以内 Flyback 变换器应用,芯片内部集成了 650V 高压 MOSFET、高压自供电电路,支持 CCM 和 DCM 工作模式。重载下芯片工作于 65KHz 固定开关频率下,中等负载时由 FB 反馈电压控制内部振荡器工作频率于降频模式下,减小系统开关损耗。轻载和空载时工作于跳频模式下,进一步降低系统开关损耗,并满足小于 75mW 待机功耗。芯片内置有斜坡补偿电路,改善系统的稳定性。芯片内置有前沿消隐时(Leading-edge blanking time),消除缓冲网络中的二极管反向恢复电流对电路的影响。系统的跳频频率设置在 22KHz 以上,减小系统工作在轻载时的音频噪声。
BP8705D通过内部的分阶段软驱电路结构,并加入抖频控制,可以更好的改善系统的 EMI 特性。
BP8705D内置多种保护,包括逐周期限流保护(OCP),过载保护(OLP),VDD 过压保护(VDD OVP)、欠压保护(UVLO)、VDD 电压箝位,过温保护(OTP)等,使系统更加安全可靠。
18W快充电源芯片BP8705D主要特点;
全电压范围(85Vac-265Vac)输入时满足六级能效要求
内部集成 650V 高压 MOSFET
集成高压启动, 空载待机功耗小于 75mW
内置软启动,减少 MOSFET 的 Vds 应力
跳频模式,改善轻载效率,减小待机功耗
抖频控制及分阶段软驱驱动电路结构,改善EMI 性能
满载固定 65KHz, 开关频率最低工作频率22KHz,无音频噪声
内置斜坡补偿
低启动电流,低工作电流
内置前沿消隐(LEB)功能、过载保护、逐周期限流保护
VDD 过压保护、欠压保护、过温保护
副边PWM反馈控制器芯片BP8705D应用电路图;
BP8705D芯片应用领域;
电源适配器
QC / USB PD / 可编程 AC/DC 充电器
宽输出电压待机电源
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