mosfet管的优缺点，你都知道哪些？

   MOS管（Mosfet）是电子电路中常用的功率半导体器件，可以用作电子开关、可控整流等，它的优缺点都有哪些？你是否想知道，今天本文将为您详细为您介绍MOSFET管的优点及缺点。

   首先我们来看看MOS管的优点有哪些；

   优点1、开关速度快

   MOSFET管的开关速度和输入的容性特性的有很大关系，由于输入容性特性的存在，使开关的速度变慢，但是在作为开关运用时，可降低驱动电路内阻，加快开关速度(输入采用了后述的“灌流电路”驱动，加快了容性的充放电的时间)。MOSFET只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速，开关时间在10-100ns之间，工作频率可达100kHz以上，普通的晶体三极管由于少数载流子的存储效应，使开关总有滞后现象，影响开关速度的提高(目前采用MOS管的开关电源其工作频率可以轻易的做到100K/S-150K/S，这对于普通的大功率晶体三极管来说是难以想象的)。

   优点2、输入阻抗高，驱动功率小

   由于栅源之间是二氧化硅(SiO2)绝缘层，栅源之间的直流电阻基本上就是SiO2绝缘电阻，一般达100MΩ左右，交流输入阻抗基本上就是输入电容的容抗。由于输入阻抗高，对激励信号不会产生压降，有电压就可以驱动，所以驱动功率极小(灵敏度高)。

   优点3、不存在二次击穿问题

   由于普通的功率晶体三极管具有当温度上升就会导致集电极电流上升(正的温度~电流特性)的现象，而集电极电流的上升又会导致温度进一步的上升，温度进一步的上升，更进一步的导致集电极电流的上升这一恶性循环。而晶体三极管的耐压VCEO随管温度升高是逐步下降，这就形成了管温继续上升、耐压继续下降最终导致晶体三极管的击穿，这是一种导致电视机开关电源管和行输出管损坏率占95%的破环性的热电击穿现象，也称为二次击穿现象。MOS管具有和普通晶体三极管相反的温度~电流特性，即当管温度(或环境温度)上升时，沟道电流IDS反而下降。例如：一只IDS=10A的MOSFET开关管，当VGS控制电压不变时，在250C温度下IDS=3A，当芯片温度升高为1000C时，IDS降低到2A，这种因温度上升而导致沟道电流IDS下降的负温度电流特性，使之不会产生恶性循环而热击穿，也就是MOS管没有二次击穿现象。

   优点4、制造工艺简单、辐射强

   优点5、噪声系数小

   在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用MOS管。

   优点6、体积小、重量轻、寿命长

   优点7、控制方式比较简单（电压控制）

   优点8、故障率低，拓展性好

   说完了优点，我们看看它有哪些缺点；

   MOS管缺点主要有电流容量小，耐压低，高压时导通电阻高，功耗大以及对静电比较敏感，容易被静电击穿，不耐超高压等缺点，一般只适用于功率不超过10KW的电力电子装置。

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